IRFBE30SPBF、STB7NK80ZT4、IRF540NSPBF对比区别

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型号 IRFBE30SPBF STB7NK80ZT4 IRF540NSPBF

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF540NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK 新

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 800 V 100 V

额定电流 - 5.20 A 33.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 1.5 Ω 0.044 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 125 W 130 W

阈值电压 - 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 100 V

漏源击穿电压 - 800 V 100 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.10 A 5.20 A 33.0 A

上升时间 33 ns 12 ns 35.0 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 125 W 130 W

下降时间 30 ns 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 125W (Tc) -

产品系列 - - IRF540NS

输入电容 - - 1960pF @25V

长度 - 10.75 mm 10.67 mm

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99