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STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK


立创商城:
N沟道 800V 5.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STB7NK80ZT4 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes supermesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB7NK80Z 系列 N 沟道 800 V 1.8 Ohm SuperMESH™ 功率 MosFet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  Power MOSFET, N Channel, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 5A 2000mOhm TO263-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK


STB7NK80ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 5.20 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1138pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB7NK80ZT4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB7NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STB7NK80ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB7NK80ZT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 800V 5.2A 1.8ohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: FQB6N80TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 800V 5.8A 1.95ohms

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型号: IRFBE30SPBF

品牌: 威世

封装: TO-263-3 N-Channel 800V 4.1A

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

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型号: STB7NK80Z

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 800V 5.2A

功能相似

N沟道800 V , 1.5 Ω , 5.2 A, TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK齐纳保护超网?功率MOSFET N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

STB7NK80ZT4和STB7NK80Z的区别