锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MBT3904DW1T1、MBT3904DW1T1G、FMB3904对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3904DW1T1 MBT3904DW1T1G FMB3904

描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FMB3904  双极晶体管阵列, NPN, 40 V, 700 mW, 200 mA, 40 hFE, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SC-70-6 TSOT-23-6

频率 - 300 MHz -

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

额定功率 - 150 mW -

针脚数 - 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 150 mW 700 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 700 mW

直流电流增益(hFE) - 300 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 700 mW

长度 - 2.2 mm 3 mm

宽度 - 1.35 mm 1.7 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 SC-70-6 TSOT-23-6

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

HTS代码 8541210075 - -