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MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70-6


立创商城:
双 NPN 双极晶体管


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN MBT3904DW1T1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi MBT3904DW1T1G Dual NPN Bipolar Transistor, 0.2 A, 40 V, 6-Pin SOT-363


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150000mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 150mW; SOT363


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363


Win Source:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88


DeviceMart:
TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88


MBT3904DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

额定功率 150 mW

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MBT3904DW1T1G引脚图与封装图
MBT3904DW1T1G引脚图

MBT3904DW1T1G引脚图

MBT3904DW1T1G封装焊盘图

MBT3904DW1T1G封装焊盘图

在线购买MBT3904DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
MBT3904DW1T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363 搜索库存
替代型号MBT3904DW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MBT3904DW1T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363

当前型号

型号: MBT3904DW1T1

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 40V 200mA

完全替代

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

MBT3904DW1T1G和MBT3904DW1T1的区别

型号: MBT3904DW1T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW

类似代替

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

MBT3904DW1T1G和MBT3904DW1T3G的区别

型号: MBT3904DW2T1

品牌: 安森美

封装: 6-TSSOP NPN 40V 200mA

类似代替

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

MBT3904DW1T1G和MBT3904DW2T1的区别