MBT3904DW1T1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MBT3904DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
MBT3904DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MBT3904DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3904DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号MBT3904DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3904DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 当前型号 |
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