J105、NTE312、2N5457G对比区别
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J105 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFETNTE ELECTRONICS NTE312 晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-92, JFETJFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3
额定电压(DC) 25.0 V -30.0 V 25.0 V
额定电流 500 mA 15 mA 10.0 mA
额定功率 625 mW - -
击穿电压 -25.0 V -30.0 V -
漏源极电阻 3 Ω - 2.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 625 mW 360 mW 310 mW
漏源极电压(Vds) 25.0 V 30 V 25 V
栅源击穿电压 25.0 V -50.0 V 25.0 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA - -
击穿电压 25 V - 25 V
额定功率(Max) 625 mW - 310 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 135 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
输入电容(Ciss) - - 7pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - 500 mW 310 mW
输入电容 - 4.5 pF -
长度 5.2 mm 5.2 mm -
宽度 4.19 mm 4.2 mm -
高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 135℃ (TJ)
材质 - Silicon -
重量 - 0.0072574784 kg -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bulk - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
HTS代码 - 85412100959 -