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J105、NTE312、2N5457G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J105 NTE312 2N5457G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J105  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFETNTE ELECTRONICS  NTE312  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-92, JFETJFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

额定电压(DC) 25.0 V -30.0 V 25.0 V

额定电流 500 mA 15 mA 10.0 mA

额定功率 625 mW - -

击穿电压 -25.0 V -30.0 V -

漏源极电阻 3 Ω - 2.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 mW 360 mW 310 mW

漏源极电压(Vds) 25.0 V 30 V 25 V

栅源击穿电压 25.0 V -50.0 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA - -

击穿电压 25 V - 25 V

额定功率(Max) 625 mW - 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 135 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

输入电容(Ciss) - - 7pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) - 500 mW 310 mW

输入电容 - 4.5 pF -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.2 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 135℃ (TJ)

材质 - Silicon -

重量 - 0.0072574784 kg -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 85412100959 -