FQD2N100TM、STD2NK100Z、MTD6N20ET4G对比区别

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型号 FQD2N100TM STD2NK100Z MTD6N20ET4G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 VON SEMICONDUCTOR  MTD6N20ET4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 900 V - 200 V

额定电流 1.60 A - 6.00 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 7.1 Ω 6.25 Ω 0.46 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 70 W 50 W

阈值电压 5 V 3.75 V 3 V

输入电容 - - 480 pF

栅电荷 - - 21.0 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 200 V

漏源击穿电压 1.00 kV - 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.60 mA - 6.00 A

上升时间 30 ns 6.5 ns 29 ns

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 499pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 70 W 1.75 W

下降时间 35 ns 32.5 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 70W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99