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STD2NK100Z

STD2NK100Z

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

表面贴装型 N 通道 1000 V 1.85A(Tc) 70W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK


立创商城:
N沟道 1kV 1.85A


欧时:
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STD2NK100Z power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 70000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with supermesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  MOSFET Transistor, N Channel, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 1kV 2A 9000mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK


STD2NK100Z中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1 kV

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 499pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 32.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD2NK100Z引脚图与封装图
STD2NK100Z引脚图

STD2NK100Z引脚图

STD2NK100Z封装图

STD2NK100Z封装图

STD2NK100Z封装焊盘图

STD2NK100Z封装焊盘图

在线购买STD2NK100Z
型号 制造商 描述 购买
STD2NK100Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD2NK100Z

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: FQD2N100TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 1kV 1.6mA 7.1ohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V

STD2NK100Z和FQD2N100TM的区别

型号: FQB2N90TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 900V 2.2A 7.2ohms

功能相似

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

STD2NK100Z和FQB2N90TM的区别

型号: IRFBF20SPBF

品牌: Vishay Intertechnology

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 1.7A ID, 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

STD2NK100Z和IRFBF20SPBF的区别