额定电压DC 900 V
额定电流 1.60 A
针脚数 3
漏源极电阻 7.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.60 mA
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD2N100TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD2N100TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 1kV 1.6mA 7.1ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: FQD2N100TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 1kV 1.6A 7.1ohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD2N100TM和FQD2N100TF的区别 | |
型号: STD2NK100Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V | FQD2N100TM和STD2NK100Z的区别 | |
型号: STD3NK100Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQD2N100TM和STD3NK100Z的区别 |