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BF423G、BF423ZL1G、BF423ZL1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF423G BF423ZL1G BF423ZL1

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR  BF423ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 250V PNP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -250 V -250 V -250 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 830 mW 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -

频率 - 60 MHz -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 50 -

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -