BF423G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -50.0 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BF423G引脚图与封装图 
BF423G引脚图
BF423G封装图
BF423G封装焊盘图
替代型号BF423G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF423G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -250V -50mA | 当前型号 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 当前型号 |
| 型号： BF423ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -250V -50mA 830mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE | BF423G和BF423ZL1G的区别 |
| 型号： BF423 品牌： 安森美 封装： TO-92 -250V -50mA | 完全替代 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | BF423G和BF423的区别 |
| 型号： BF823 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP | 类似代替 | NXP BF823 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新 | BF423G和BF823的区别 |