BDW47、BDW47G、2N6042G对比区别

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型号 BDW47 BDW47G 2N6042G

描述 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  BDW47G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  2N6042G.  达林顿双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -15.0 A -15.0 A -8.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 85 W 85 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 15A 15A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V 1000 @3A, 4V

额定功率(Max) 85 W 85 W 75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

输出电压 - - 60 V

输出电流 - - 8 A

针脚数 - 3 3

热阻 - - 57℃/W (RθJA)

最大电流放大倍数(hFE) - - 20000

直流电流增益(hFE) - 1000 100

耗散功率(Max) - 85000 mW 75000 mW

输入电压 - - 2.8 V

增益带宽 - 4MHz (Min) -

长度 10.28 mm 10.53 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99