BDW47中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -15.0 A
极性 PNP
耗散功率 85 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 85 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BDW47引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BDW47
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BDW47 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号BDW47
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BDW47 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -15A | 当前型号 | 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
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| 型号： BDW47G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -15A 85000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BDW47G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE | BDW47和BDW47G的区别 |