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2N6042G

ON SEMICONDUCTOR  2N6042G.  达林顿双极晶体管

The 8 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. 2N6040, 2N6042 PNP; and 2N6043, 2N6045 NPN are complementary devices.

Features

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High DC Current Gain -

hFE = 2500 Typ @ IC = 4.0 Adc

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Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc -

VCEOsus = 60 Vdc Min - 2N6040, 2N6043

VCEOsus= 80 Vdc Min - 2N6041, 2N6044

VCEOsus= 100 Vdc Min - 2N6042, 2N6045

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Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCEsat = 2.0 Vdc Max @ IC = 4.0 Adc - 2N6040,41, 2N6043,44

VCEsat= 2.0 Vdc Max @ IC = 3.0 Adc - 2N6042, 2N6045

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Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
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Pb-Free Packages are Available
2N6042G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -8.00 A

输出电压 60 V

输出电流 8 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 57℃/W RθJA

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 20000

额定功率Max 75 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75000 mW

输入电压 2.8 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6042G引脚图与封装图
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在线购买2N6042G
型号 制造商 描述 购买
2N6042G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N6042G.  达林顿双极晶体管 搜索库存
替代型号2N6042G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6042G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220-3 PNP -100V -8A 75000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N6042G.  达林顿双极晶体管

当前型号

型号: BDX54CG

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -100V -8A 65000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BDX54CG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE

2N6042G和BDX54CG的区别

型号: TIP107G

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -100V -8A 2000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  TIP107G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE

2N6042G和TIP107G的区别

型号: BDW47G

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -100V -15A 85000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BDW47G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE

2N6042G和BDW47G的区别