MC1413BDG、MC1413DR2G、ULQ2003AD对比区别

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型号 MC1413BDG MC1413DR2G ULQ2003AD

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

输出接口数 - - 7

输出电压 50 V 50 V 50 V

输出电流 500 mA 500 mA 0.5 A

通道数 7 - 7

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 - - 7

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输出电流(Max) - - 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -20 ℃ -40 ℃

输入电压 30 V 30 V 30 V

电源电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @350mA, 2V -

长度 10 mm 10 mm 9.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99