MC1413DR2G中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 30.0 V
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 50 V
输出电流 500 mA
针脚数 16
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -20 ℃
输入电压 30 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC1413DR2G引脚图与封装图
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在线购买MC1413DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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替代型号MC1413DR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC1413DR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 当前型号 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MC1413BDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列 | MC1413DR2G和MC1413BDR2G的区别 |
| 型号： ULN2004D1013TR 品牌： 意法半导体 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 完全替代 | STMICROELECTRONICS ULN2004D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC | MC1413DR2G和ULN2004D1013TR的区别 |
| 型号： ULN2003D1013TR 品牌： 意法半导体 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC | MC1413DR2G和ULN2003D1013TR的区别 |