IXFH80N20Q、STD60NF06T4、MTW32N20EG对比区别
型号 IXFH80N20Q STD60NF06T4 MTW32N20EG
描述 TO-247AD N-CH 200V 80AN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-247-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 28.0 mΩ 0.014 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 110 W 180 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 60.0 A 32.0 A
上升时间 50 ns 108 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 110 W 180 W
下降时间 20 ns 20 ns 91 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 110W (Tc) 180W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 80.0 A - 32.0 A
通道数 - - 1
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm 5.3 mm
高度 - 2.4 mm -
封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99