MTW32N20EG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 91 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MTW32N20EG引脚图与封装图
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在线购买MTW32N20EG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTW32N20EG | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247 | 搜索库存 |
替代型号MTW32N20EG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTW32N20EG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-247 N-Channel 200V 32A 75mohms | 当前型号 | 功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247 | 当前型号 |
| 型号： MTW32N20E 品牌： 安森美 封装： TO-247 N-Channel 200V 32A 75mohms | 完全替代 | 200V,32A,N沟道功率MOSFET | MTW32N20EG和MTW32N20E的区别 |
| 型号： IRFP250NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 30A | 功能相似 | INFINEON IRFP250NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V | MTW32N20EG和IRFP250NPBF的区别 |
| 型号： STW40NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 200V 25A 45mΩ 2.5nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V | MTW32N20EG和STW40NF20的区别 |