MUN5313DW1T1G、UMD12NTR、MUN5313DW1T1对比区别

高亮显示差异参数

型号 MUN5313DW1T1G UMD12NTR MUN5313DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SOT-363

额定电流 100 mA 30.0 mA 100 mA

额定功率 - 0.15 W -

通道数 - 2 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 256 mW 150 mW 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 140 68 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) 385 mW 150 mW 385 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.9 mm

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -