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MUN5313DW1T1G

MUN5313DW1T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 0.1A Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 80~140 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 | 　NPN型山和PNP型硅表面和整体的偏见 　　电阻网络

MUN5313DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN, PNP

耗散功率 256 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 140

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MUN5313DW1T1G引脚图与封装图
MUN5313DW1T1G引脚图

MUN5313DW1T1G引脚图

MUN5313DW1T1G封装焊盘图

MUN5313DW1T1G封装焊盘图

在线购买MUN5313DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN5313DW1T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88 搜索库存
替代型号MUN5313DW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MUN5313DW1T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88

当前型号

型号： MUN5313DW1T1

品牌： 安森美

封装： SOT-363 NPN PNP 50V 100mA 385mW

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5313DW1T1G和MUN5313DW1T1的区别

型号： UMD12NTR

品牌： 罗姆半导体

封装： SOT-363 NPN 30mA 150mW

功能相似

ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

MUN5313DW1T1G和UMD12NTR的区别

型号： PUMD12,115

品牌： 恩智浦

封装： SOT-363 NPN 0.3W

功能相似

NXP  PUMD12,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363

MUN5313DW1T1G和PUMD12,115的区别