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UMD12NTR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6


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1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V


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双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA


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晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm


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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


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Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin UMT T/R


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# ROHM  UMD12NTR  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363


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50V,30mA,NPN/PNP复合晶体管


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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6


UMD12NTR中文资料参数规格
技术参数

额定电流 30.0 mA

额定功率 0.15 W

通道数 2

极性 NPN, PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 68

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

UMD12NTR引脚图与封装图
UMD12NTR引脚图

UMD12NTR引脚图

UMD12NTR封装图

UMD12NTR封装图

UMD12NTR封装焊盘图

UMD12NTR封装焊盘图

在线购买UMD12NTR
型号 制造商 描述 购买
UMD12NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363 搜索库存
替代型号UMD12NTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UMD12NTR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-363 NPN 30mA 150mW

当前型号

ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

当前型号

型号: MUN5313DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88

UMD12NTR和MUN5313DW1T1G的区别