锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBFJ310LT1、MMBFU310LT1G、MMBFJ310LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ310LT1 MMBFU310LT1G MMBFJ310LT3G

描述 JFET VHF / UHF放大器晶体管 JFET VHF/UHF Amplifier TransistorON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 60 mA 10.0 mA 10.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 - -25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 225 mW 225 mW

输入电容 - - 5.00 pF

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25.0 V

增益 12 dB - 12 dB

测试电流 10 mA - 10 mA

击穿电压 - 25 V 25 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压 25 V - 25 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 mA -

输入电容(Ciss) - 5pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 225 mW -

耗散功率(Max) - 225 mW -

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99