CSD19505KTT、CSD19536KTT、CSD19535KTT对比区别

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型号 CSD19505KTT CSD19536KTT CSD19535KTT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD19505KTT  晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300 W 375 W 300 W

漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A

上升时间 5 ns 8 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 7920pF @40V(Vds) 12000pF @50V(Vds) 7930pF @50V(Vds)

下降时间 3 ns 6 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0026 Ω - -

阈值电压 2.6 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -