PHB66NQ03LT,118、STB95N3LLH6、FDB8896对比区别
型号 PHB66NQ03LT,118 STB95N3LLH6 FDB8896
描述 MOSFET N-CH 25V 66A SOT404N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 93.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.0037 Ω 4.9 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 93 W 70 W 80 W
阈值电压 - 1 V 2.5 V
输入电容 - - 2.62 nF
栅电荷 - - 48.0 nC
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80A 93.0 A
上升时间 - 91 ns 102 ns
输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 93 W - 80 W
下降时间 - 23.4 ns 44 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 93W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc)
长度 - 10.75 mm 3 mm
宽度 - 10.4 mm 1.7 mm
高度 - 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99