额定电压DC 30.0 V
额定电流 93.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 4.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 2.62 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 93.0 A
上升时间 102 ns
输入电容Ciss 2525pF @15VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDB8896 | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDB8896 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-263 N-Channel 30V 93A 5.7mohms 2.62nF | 当前型号 | N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FDB6670AL 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO263AB N-Channel 30V 80A 5.2mohms | 类似代替 | N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | FDB8896和FDB6670AL的区别 | |
型号: IRLR8743PBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 30V 160A | 功能相似 | INFINEON IRLR8743PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 V | FDB8896和IRLR8743PBF的区别 | |
型号: STB80NF03L-04T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | FDB8896和STB80NF03L-04T4的区别 |