
耗散功率 93 W
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 860pF @25VVds
额定功率Max 93 W
耗散功率Max 93W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PHB66NQ03LT,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 25V 66A SOT404 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PHB66NQ03LT,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 25V 66A SOT404 | 当前型号 | |
型号: STB80NF03L-04T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | PHB66NQ03LT,118和STB80NF03L-04T4的区别 | |
型号: STB95N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | PHB66NQ03LT,118和STB95N3LLH6的区别 |