STB95N3LLH6中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
STB95N3LLH6引脚图与封装图
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在线购买STB95N3LLH6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB95N3LLH6 | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MOSFET，已停产 ### MOSFET - N 沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | 搜索库存 |
替代型号STB95N3LLH6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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