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JANTX2N3440、JANTXV2N3440、2N3440对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3440 JANTXV2N3440 2N3440

描述 Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39STMICROELECTRONICS  2N3440  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 160 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

频率 - - 15 MHz

额定电压(DC) - - 300 V

额定电流 - - 1.00 A

额定功率 - - 1 W

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 0.8 W 0.8 W 10000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 160

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1 W

直流电流增益(hFE) - - 160

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 10000 mW

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99