频率 15 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 1.00 A
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 10000 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 6.6 mm
封装 TO-39-3
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
2N3440引脚图
2N3440封装图
2N3440封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3440 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N3440 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 160 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3440 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39 NPN 300V 1A 10000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N3440 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 160 hFE | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N3440 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39 | 2N3440和JANTXV2N3440的区别 |
| 型号： 2N3440L 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3440和2N3440L的区别 |
