![JANTX2N3440](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_186/chanpintu/jantx2n3440-01ycs5mv-GqK54dLbj.png)
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
封装 TO-39-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
JANTX2N3440 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: JANTX2N3440 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39-3 800mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39 | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N3440 品牌: 美高森美 封装: TO-39 800mW | 完全替代 | JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39 | JANTX2N3440和JANTXV2N3440的区别 | |
型号: JAN2N3440 品牌: 美高森美 封装: TO-39 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39 | JANTX2N3440和JAN2N3440的区别 | |
型号: 2N3440L 品牌: 美高森美 封装: TO-39 NPN | 完全替代 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3440和2N3440L的区别 |