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BSP125、BSP129、BSP125 L6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP125 BSP129 BSP125 L6327

描述 INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON  BSP129  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 VINFINEON  BSP125 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 45 Ω 20 Ω 25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W 1.7 W 1.8 W

阈值电压 1.9 V 1.4 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 600 V 240 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 120 mA 120 mA 120 mA

上升时间 - 4.1 ns 14.4 ns

输入电容(Ciss) - 82pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

下降时间 - 4.1 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.8 W 1800 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 120 mA

输入电容 - - 150 pF

栅电荷 - - 6.60 nC

额定功率(Max) - - 1.8 W

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 2015/12/17