BSP125
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
晶体管
BSP125中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 45 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 120 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 消费电子产品, Power Management, 电机驱动与控制, 通信与网络, 车用, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Onboard charger, Consumer Electronics, Automotive, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP125引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP125
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP125 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSP125 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
替代型号BSP125
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP125 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 600V 120mA | 当前型号 | INFINEON BSP125 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 |
| 型号： BSP135 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel | 完全替代 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BSP125和BSP135的区别 |
| 型号： BSP135L6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 600V 120mA 146pF | 完全替代 | 600V,0.02A,N沟道功率MOSFET | BSP125和BSP135L6327的区别 |
| 型号： BSP135L6906 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 600V 120mA 146pF | 完全替代 | N沟道 600V 120A | BSP125和BSP135L6906的区别 |