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BSP129
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  BSP129  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V

SIPMOS® N 通道 MOSFET


欧时:
MOSFET,N沟道,240V,0.35A,SOT223


Newark:
MOSFET Transistor, Depletion, N Channel, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V


BSP129中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 120 mA

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 82pF @25VVds

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, , 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

BSP129引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSP129 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSP129  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V 搜索库存
替代型号BSP129
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP129

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 240V 120mA

当前型号

INFINEON  BSP129  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V

当前型号

型号: BSP125

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 600V 120mA

类似代替

INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V

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型号: BSP135

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel

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品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 240V 50mA 108pF

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