针脚数 4
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids 120 mA
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 82pF @25VVds
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, , 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP129 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSP129 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP129 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-223 N-Channel 240V 120mA | 当前型号 | INFINEON BSP129 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V | 当前型号 | |
型号: BSP125 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223 N-Channel 600V 120mA | 类似代替 | INFINEON BSP125 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V | BSP129和BSP125的区别 | |
型号: BSP135 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel | 类似代替 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BSP129和BSP135的区别 | |
型号: BSP129L6327 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223 N-Channel 240V 50mA 108pF | 类似代替 | 240V,0.05A,N沟道功率MOSFET | BSP129和BSP129L6327的区别 |