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TLC081CD、TLC081IDR、TLC081CDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC081CD TLC081IDR TLC081CDG4

描述 BiMOS 运算放大器,TLC070 和 TLC080 系列### 运算放大器,Texas Instruments家庭宽带宽高输出驱动单电源运算放大器 FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS家庭宽带宽高输出驱动单电源运算放大器 FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 57mA @5V 57mA @5V 57mA @5V

供电电流 1.9 mA 1.9 mA 1.9 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.71 W 0.71 W 710 mW

共模抑制比 80 dB 80dB ~ 110dB 80 dB

输入补偿漂移 1.20 µV/K 1.20 µV/K 1.20 µV/K

带宽 10 MHz 10 MHz 10.0 MHz

转换速率 16.0 V/μs 16.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz 10 MHz 10 MHz

输入补偿电压 390 µV 390 µV 1.9 mV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 40 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

电源电压(Max) - 16 V 16 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

针脚数 8 - -

电源电压 4.5V ~ 16V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -