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TLC081IDR

TLC081IDR

TI(德州仪器) 主动器件

家庭宽带宽高输出驱动单电源运算放大器 FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC081IDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 10-MHz, In to V- op amp


艾睿:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Wide BandwidthSingle Wide Bandwidth High Output Drive Single Supply Op Amp OP Amp Single GP ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLC081IDR  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 10 MHz, 16 V/µs, ± 2.25V to ± 8V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 10MHZ SGL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC


TLC081IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 57mA @5V

供电电流 1.9 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.71 W

共模抑制比 80dB ~ 110dB

输入补偿漂移 1.20 µV/K

带宽 10 MHz

转换速率 16.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 390 µV

输入偏置电流 2 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 10 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 80 dB

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 3.91 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

TLC081IDR引脚图与封装图
TLC081IDR引脚图

TLC081IDR引脚图

TLC081IDR封装图

TLC081IDR封装图

TLC081IDR封装焊盘图

TLC081IDR封装焊盘图

在线购买TLC081IDR
型号 制造商 描述 购买
TLC081IDR TI 德州仪器 家庭宽带宽高输出驱动单电源运算放大器 FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLC081IDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC081IDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

当前型号

家庭宽带宽高输出驱动单电源运算放大器 FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TLC081CD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

类似代替

BiMOS 运算放大器,TLC070 和 TLC080 系列### 运算放大器,Texas Instruments

TLC081IDR和TLC081CD的区别

型号: TLC081AID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

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型号: TLC081ID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

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