BSS138LT1G、BSS138P、BSS138对比区别

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型号 BSS138LT1G BSS138P BSS138

描述 ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 VNXP  BSS138P  晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 200 mA - 220 mA

额定功率 0.225 W - 360 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 3.5 Ω 0.9 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 420 mW 360 mW

阈值电压 1.5 V 1.2 V 1.3 V

输入电容 40pF @25V - 27.0 pF

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V

漏源击穿电压 50 V - 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA - 220 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 38pF @10V(Vds) 27pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 0.42 W 360 mW

栅电荷 - - 2.40 nC

上升时间 - - 9 ns

下降时间 - - 7 ns

长度 2.9 mm 3 mm 2.92 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR