额定电压DC 50.0 V
额定电流 220 mA
额定功率 360 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.3 V
输入电容 27.0 pF
栅电荷 2.40 nC
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 220 mA
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 27pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control,
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
BSS138引脚图
BSS138封装图
BSS138封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSS138 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSS138 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 50V 220mA 3.5ohms 27pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V | 当前型号 | |
型号: BSS138LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V | BSS138和BSS138LT1G的区别 | |
型号: BSS138LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷 | BSS138和BSS138LT3G的区别 | |
型号: BSS138TA 品牌: 美台 封装: TO-236-3 N-Channel 50V 200mA 3.5Ω 50pF | 功能相似 | BSS138TA 编带 | BSS138和BSS138TA的区别 |