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BSS138
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V

公司的为N沟道逻辑电平增强型场效应, SOT-23封装. 这一产品设计以最小化通导电阻, 同时提供坚固耐用, 可靠并高速的开关性能, 因此BSS138适合低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制, 功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.

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漏极至源极电压Vds: 50V
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栅-源电压:±20V
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Vgs 10V, 低通导电阻: 3.5ohm
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持续漏电流: 220mA
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最大功率耗散: 360mW
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工作结温范围: -55°C至150°C
BSS138中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 220 mA

额定功率 360 mW

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 1.3 V

输入电容 27.0 pF

栅电荷 2.40 nC

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 220 mA

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 27pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

BSS138引脚图与封装图
BSS138引脚图

BSS138引脚图

BSS138封装图

BSS138封装图

BSS138封装焊盘图

BSS138封装焊盘图

在线购买BSS138
型号 制造商 描述 购买
BSS138 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V 搜索库存
替代型号BSS138
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS138

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 50V 220mA 3.5ohms 27pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V

当前型号

型号: BSS138LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

BSS138和BSS138LT1G的区别

型号: BSS138LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

BSS138和BSS138LT3G的区别

型号: BSS138TA

品牌: 美台

封装: TO-236-3 N-Channel 50V 200mA 3.5Ω 50pF

功能相似

BSS138TA 编带

BSS138和BSS138TA的区别