锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CPH3448-TL-W、RTR040N03TL、NTR4170NT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CPH3448-TL-W RTR040N03TL NTR4170NT1G

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.3 VROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 VON SEMICONDUCTOR  NTR4170NT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.038 Ω 0.066 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1 W 1 W 780 mW

阈值电压 1.3 V 1.5 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4A 4.00 A 2.30 A, 4.00 A

上升时间 41 ns 18 ns 9.9 ns

输入电容(Ciss) 430pF @10V(Vds) 475pF @10V(Vds) 432pF @15V(Vds)

下降时间 37 ns 19 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 480mW (Ta)

额定功率(Max) - 1 W 780 mW

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 - 1.60 mm 1.4 mm

高度 - 0.85 mm 1.01 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -