
针脚数 3
漏源极电阻 0.066 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 475pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.60 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15

RTR040N03TL引脚图

RTR040N03TL封装图

RTR040N03TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RTR040N03TL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SC-96 N-Channel 30V 4A | 当前型号 | ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V | 当前型号 | |
型号: FDN339AN 品牌: 飞兆/仙童 封装: SuperSOT N-Channel 20V 3A 29mohms 700pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN339AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 850 mV | RTR040N03TL和FDN339AN的区别 | |
型号: FDN335N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 20V 1.7A 70mohms 40pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV | RTR040N03TL和FDN335N的区别 | |
型号: FDN337N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.2A 65mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN337N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV | RTR040N03TL和FDN337N的区别 |