CPH3448-TL-W中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 430pF @10VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
CPH3448-TL-W引脚图与封装图
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在线购买CPH3448-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH3448-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.3 V | 搜索库存 |
替代型号CPH3448-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH3448-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-236 N-Channel 30V 4A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.3 V | 当前型号 |
| 型号： RTR040N03TL 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-96 N-Channel 30V 4A | 功能相似 | ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V | CPH3448-TL-W和RTR040N03TL的区别 |
| 型号： CPH3448-TL-H 品牌： 安森美 封装： SC-96 N-CH 30V 4A | 功能相似 | 4A,30V,N沟道MOSFET | CPH3448-TL-W和CPH3448-TL-H的区别 |