CSD18535KTT、CSD19506KTT、CSD19535KTT对比区别

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型号 CSD18535KTT CSD19506KTT CSD19535KTT

描述 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 17580V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 2.3 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 375 W 300 W

阈值电压 1.9 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 80 V 100 V

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A

上升时间 3 ns 7 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 6620pF @30V(Vds) 12200pF @40V(Vds) 7930pF @50V(Vds)

下降时间 3 ns 5 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)

长度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.7 mm 4.7 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -