通道数 1
漏源极电阻 2.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 6620pF @30VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 9.25 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18535KTT | TI 德州仪器 | 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18535KTT 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 60V 200A | 当前型号 | 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | 当前型号 |
| 型号： CSD18542KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 60V 200A | 类似代替 | 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD18535KTT和CSD18542KTT的区别 |
| 型号： CSD19506KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 80V 200A | 类似代替 | 80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD18535KTT和CSD19506KTT的区别 |
| 型号： CSD19535KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 类似代替 | CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD18535KTT和CSD19535KTT的区别 |
