MJD31C1、MJD31C1G对比区别

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型号 MJD31C1 MJD31C1G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD31C1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W

频率 - 3 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 - 15 W

直流电流增益(hFE) - 10

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1560 mW

封装 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 2.38 mm

高度 - 6.22 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99