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MJD31C1

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

**DPAK For Surface Mount Applications**

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

**Features**

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel “T4” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

MJD31C1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MJD31C1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJD31C1 ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD31C1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD31C1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: IPAK NPN 100V 3A

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号: MJD31C1G

品牌: 安森美

封装: TO-251 NPN 100V 3A 1560mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MJD31C1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

MJD31C1和MJD31C1G的区别

型号: MJD31C-1

品牌: Jiangsu Changjiang Electronics Technology

封装:

功能相似

Transistor

MJD31C1和MJD31C-1的区别