MJD31C1G中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD31C1G引脚图与封装图
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在线购买MJD31C1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD31C1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD31C1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD31C1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 NPN 100V 3A 1560mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJD31C1 品牌： 安森美 封装： IPAK NPN 100V 3A | 完全替代 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD31C1G和MJD31C1的区别 |