FDA50N50、SPA07N60C3、STW45NM50FD对比区别

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型号 FDA50N50 SPA07N60C3 STW45NM50FD

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA50N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 VINFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 650 V 500 V

额定电流 48.0 A 7.30 A 45.0 A

漏源极电阻 0.089 Ω 0.54 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 W 32 W 417 W

阈值电压 5 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 7.30 A 45.0 A

上升时间 360 ns 3.5 ns 107.5 ns

输入电容(Ciss) 6460pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 625 W 32 W 417 W

下降时间 230 ns 7 ns 87.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 625W (Tc) 32W (Tc) 417W (Tc)

额定功率 625 W 32 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

输入电容 4.98 nF 790 pF -

栅电荷 105 nC 27.0 nC -

长度 15.6 mm 10.65 mm 15.75 mm

宽度 4.8 mm 4.85 mm 5.15 mm

高度 19.9 mm 9.83 mm 20.15 mm

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -