FDA50N50
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDA50N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 48.0 A
额定功率 625 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.089 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
阈值电压 5 V
输入电容 4.98 nF
栅电荷 105 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 360 ns
输入电容Ciss 6460pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 230 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.6 mm
宽度 4.8 mm
高度 19.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Lighting
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDA50N50引脚图与封装图
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在线购买FDA50N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDA50N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA50N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDA50N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA50N50 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 500V 48A 105mohms 4.98nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA50N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STW45NM50 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 550V 45A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V | FDA50N50和STW45NM50的区别 |
| 型号： STW28NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 21A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V | FDA50N50和STW28NM50N的区别 |
| 型号： SPA07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A 790pF | 功能相似 | INFINEON SPA07N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | FDA50N50和SPA07N60C3的区别 |