STW45NM50FD中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 45.0 A
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 417 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
上升时间 107.5 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 417 W
下降时间 87.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STW45NM50FD引脚图与封装图 
STW45NM50FD引脚图
STW45NM50FD封装图
STW45NM50FD封装焊盘图
在线购买STW45NM50FD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW45NM50FD | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET with fast diode | 搜索库存 |
替代型号STW45NM50FD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW45NM50FD 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 45A 100mohms | 当前型号 | N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET with fast diode | 当前型号 |
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