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SPA07N60C3

SPA07N60C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
MOSFET，N沟道，600V，7.3A，CoolMOS，TO220FP


立创商城:
N沟道 650V 7.3A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP


儒卓力:
**N-CH 600V 7A 600mOhm TO220FP **


力源芯城:
600V,7.3A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220


SPA07N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

额定功率 32 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

阈值电压 3 V

输入电容 790 pF

栅电荷 27.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 9.83 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPA07N60C3引脚图与封装图
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在线购买SPA07N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPA07N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA07N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA07N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A 790pF

当前型号

INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPP07N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A

类似代替

INFINEON  SPP07N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

SPA07N60C3和SPP07N60C3的区别

型号： SPP07N60S5

品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A

类似代替

INFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V

SPA07N60C3和SPP07N60S5的区别

型号： IPP80N06S2L-11

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-3 N-Channel 55V 80A

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的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

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