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MMBF4391、MMBF4393LT1G、SMMBF4391LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4391 MMBF4393LT1G SMMBF4391LT1G

描述 ON Semiconductor MMBF4391 N通道 JFET 晶体管, Vds=0.4 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFETJFET开关晶体管 JFET Switching Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

漏源极电阻 30 Ω 100 Ω 30 Ω

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 14pF @20V(Vds) 14pF @15V(Vds) 14pF @15V(Vgs)

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

击穿电压 - -30.0 V -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 14 pF -

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 50.0 mA -

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -